MOCD211R1M
Description
Paramètres techniques
Produits connexes:
|
Pièce du fabricant |
MOCD211M |
MOCD211R1M |
MOCD211R1VM |
MOCD211R2M |
MOCD211R2VM |
MOCD211VM |
|
Description |
OPTOCOUPLEUR, SORTIE PHOTOTRANSISTOR |
OPTOCOUPLEUR, SORTIE PHOTOTRANSISTOR |
OPTOCOUPLEUR, SORTIE PHOTOTRANSISTOR |
OPTOCOUPLEUR, SORTIE PHOTOTRANSISTOR |
OPTOCOUPLEUR, SORTIE PHOTOTRANSISTOR |
OPTOCOUPLEUR, SORTIE PHOTOTRANSISTOR |
|
Action |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
|
Statut du produit |
Actif |
Actif |
Actif |
Actif |
Actif |
Actif |
|
Tension - Isolation |
3750 Vrms |
3750 Vrms |
3750 Vrms |
3750 Vrms |
3750 Vrms |
3750 Vrms |
|
Taux de transfert actuel (min) |
20% à 10 mA |
20% à 10 mA |
20% à 10 mA |
20% à 10 mA |
20% à 10 mA |
20% à 10 mA |
|
Taux de transfert actuel (max.) |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
|
Heure d'activation/de désactivation (type) |
3us, 3us |
3us, 3us |
3us, 3us |
3us, 3us |
3us, 3us |
3us, 3us |
|
Type d'entrée |
DC |
DC |
DC |
DC |
DC |
DC |
|
Type de sortie |
Transistor CC |
Transistor CC |
Transistor CC |
Transistor CC |
Transistor CC |
Transistor CC |
|
Tension - Sortie (Max) |
80V |
80V |
80V |
80V |
80V |
80V |
|
Courant - Sortie / Canal |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
|
Tension - directe (Vf) (Typ) |
1.3V |
1.3V |
1.3V |
1.3V |
1.3V |
1.3V |
|
Courant - DC direct (If) (Max) |
60 mA |
60 mA |
60 mA |
60 mA |
60 mA |
60 mA |
|
Température de fonctionnement |
-55 degré ~ 110 degrés |
-55 degré ~ 110 degrés |
-55 degré ~ 110 degrés |
-55 degré ~ 110 degrés |
-55 degré ~ 110 degrés |
-55 degré ~ 110 degrés |
|
Paquet / Étui |
SOP8 (3,9 x 1,27) |
SOP8 (3,9 x 1,27) |
SOP8 (3,9 x 1,27) |
SOP8 (3,9 x 1,27) |
SOP8 (3,9 x 1,27) |
SOP8 (3,9 x 1,27) |
|
Emballer |
Bande et bobine (TR) |
Bande et bobine (TR) |
Bande et bobine (TR) |
Bande et bobine (TR) |
Bande et bobine (TR) |
Bande et bobine (TR) |
Applications:
• Systèmes d'interfaçage et de couplage de différents potentiels et impédances • Circuits de commutation à usage général
• Circuits de surveillance et de détection
Description générale:
Le dispositif MOCD211-M se compose de deux diodes émettrices infrarouges à l'arséniure de gallium couplées optiquement à deux détecteurs phototransistors monolithiques en silicium, dans un boîtier plastique de petite taille montable en surface. Il est parfaitement adapté aux applications à haute densité et élimine le besoin de montage sur carte.
étiquette à chaud: mocd211r1m, fabricants et fournisseurs chinois de mocd211r1m
Une paire de
MOCD208R1MUn article
MOCD213R1MEnvoyez demande
Vous pourriez aussi aimer
